光刻机原理：不只是单纯“照相”
早期的光刻机就是借鉴照相机底片照相显影的原理，但现如今的光刻机早就不是我们日常理解的简单投影仪，它的技术复杂度远超一般工业设备。其工作过程是将掩模（Mask）上的电路图案，通过复杂的光学系统缩小成数十纳米的尺寸，精准地刻画在硅片（Wafer）上的光刻胶（Photoresist）层上，随后经过显影、刻蚀等流程转移至晶圆内部。
其核心组成包括：
光源系统（Illumination）早期多使用汞灯，现在主流为准分子激光（如KrF 248nm、ArF 193nm），而EUV（极紫外光）使用波长为13.5nm的光源。
掩模（Mask）包含目标图案，必须具备极高精度。每一个掩模的制作成本可达几十万美元。
投影光学系统（Projection Optics）决定了图案转印的分辨率与精度，其工艺要求极高，如ASML使用蔡司提供的反射式投影系统。
步进扫描台（Stepper/Scanner Stage）控制硅片移动的系统，需精确控制至亚纳米级别。
光刻技术从DUV到EUV，每一步都挑战极限
技术节点与分辨率的演进光刻机的发展与制程的推进密切相关。当前主流制程已进入5nm阶段，3nm量产初见规模，2nm技术正在推进。
光刻机是微电子制造的关键设备，广泛应用于集成电路、平面显示器、LED、MEMS等领域。在集成电路制造中，光刻机被用于制造芯片上的电路图案。在平面显示器制造中，光刻机被用于制造液晶屏的驱动电路。在LED制造中，光刻机被用于制造LED芯片上的电路图案。在MEMS制造中，光刻机被用于制造微型机械系统的电路图案。光刻机的应用领域非常广泛，是微电子制造过程中不可或缺的一部分。
光刻机翻新